- 类目
- 三极管(BJT)
- 稳压二极管
多选 - 品牌
- onsemi(安森美)
- MSKSEMI(美森科)
- DIODES(美台)
- PANJIT(强茂)
- CJ(江苏长电/长晶)
- Nexperia(安世)
- YONGYUTAI(永裕泰)
- GOODWORK(固得沃克)
- Siliup(矽普)
- LGE(鲁光)
- 晶导微电子
- JSMSEMI(杰盛微)
- TWGMC(迪嘉)
- YFW(佑风微)
- Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
- SHIKUES(时科)
- BORN(伯恩半导体)
- YANGJIE(扬杰)
- Slkor(萨科微)
- FUXINSEMI(富芯森美)
多选 - 封装
- SOT-23(TO-236)
- SOT-523(SC-75)
- SOT-323(SC-70)
- SOT-723
- DFN1006-3(SOT-883)
- TO-92
- DFN(1x0.6)
- DFN-3(0.6x0.6)
- SOT-363
- SOT-923F
- -
多选 - 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
- 收藏
- 对比
- ￥0.114
- ￥0.0903
- ￥0.0683
- ￥0.0603
- ￥0.0572
- ￥0.055
- 现货
- 150K
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述特性：与MMBT3904互补。 功率耗散为200mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃
- 收藏
- 对比
- ￥0.0588
- ￥0.0493
- ￥0.0384
- ￥0.0353
- ￥0.0325
- ￥0.031
- 现货
- 537K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述特性：互补型：推荐使用NPN晶体管MMBT3904。 外延平面芯片结构
- 收藏
- 对比
- ￥0.0399
- ￥0.03173
- ￥0.024985
- ￥0.022325
- ￥0.01995
- ￥0.01862
- 现货
- 406K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述丝印2A
- 收藏
- 对比
- ￥0.0673
- ￥0.0533
- ￥0.0455
- ￥0.0408
- ￥0.0368
- ￥0.0346
- 现货
- 176K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
- 收藏
- 对比
- ￥0.048
- ￥0.037536
- ￥0.030912
- ￥0.027456
- ￥0.02448
- ￥0.022848
- 现货
- 140K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述耐压:40V 电流:200mA PNP (hFE):300@10mA,1V
- 收藏
- 对比
- ￥0.0423
- ￥0.03357
- ￥0.02871
- ￥0.02349
- ￥0.02097
- ￥0.01962
- 现货
- 115K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交62单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述40V,200mA,PNP三极管,hFE=100-400
- 收藏
- 对比
- ￥0.062605
- ￥0.04997
- ￥0.040755
- ￥0.03648
- ￥0.03287
- ￥0.030875
- 现货
- 35K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 150mW
描述特性：外延平面管芯结构。 有互补NPN类型。 也有无铅版本
- 收藏
- 对比
- ￥0.127
- ￥0.1011
- ￥0.0829
- 现货
- 5750
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交97单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
描述采用小型SOT23表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP开关晶体管。
- 收藏
- 对比
- ￥0.2878
- ￥0.2302
- ￥0.2014
- ￥0.1798
- ￥0.1625
- ￥0.1539
- 现货
- 16K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交43单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
描述特性：外延平面管芯结构。 适用于中功率放大和开关。 互补NPN型。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高。 具备PPAP能力
- 收藏
- 对比
- ￥0.1583
- ￥0.1249
- ￥0.1064
- ￥0.0952
- ￥0.0856
- ￥0.0804
- 现货
- 49K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述特性：与MMBT3904互补
- 收藏
- 对比
- ￥0.0414
- ￥0.0344
- ￥0.0266
- ￥0.0242
- ￥0.0222
- ￥0.0212
- 现货
- 31K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述此 PNP 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-416/SC-75 封装，适用于低功率表面贴装应用。
- 收藏
- 对比
- ￥0.1653
- ￥0.1292
- ￥0.1092
- ￥0.0927
- ￥0.0823
- ￥0.0767
- 现货
- 30K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交43单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
描述专为中等电压、微电流环境下的精密放大应用设计，是小型电子设备的理想半导体元件。
- 收藏
- 对比
- ￥0.038335
- ￥0.03009
- ￥0.024395
- ￥0.02159
- ￥0.01921
- ￥0.017935
- 现货
- 47K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交38单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述SOT-23 塑封封装 PNP 半导体三极管。
- 收藏
- 对比
- ￥0.0363
- ￥0.0311
- ￥0.0283
- ￥0.0265
- ￥0.025
- ￥0.0242
- 现货
- 168K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交20单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 150mW
- 收藏
- 对比
- ￥0.1502
- ￥0.1178
- ￥0.0998
- 现货
- 2500
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交17单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述特性：与MMBT3904互补-表面贴装器件
- 收藏
- 对比
- ￥0.058235
- ￥0.046455
- ￥0.03743
- ￥0.033535
- ￥0.030115
- ￥0.028215
- 现货
- 17K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交44单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述特性：作为互补类型，推荐使用NPN晶体管MMBT3904。 外延平面管芯结构
- 收藏
- 对比
- ￥0.063
- ￥0.0495
- ￥0.0418
- ￥0.0373
- ￥0.0334
- ￥0.0313
- 现货
- 17K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交27单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述放大倍数100-300 200MA电流
- 收藏
- 对比
- ￥0.0465
- ￥0.0368
- ￥0.0289
- ￥0.0256
- ￥0.0228
- ￥0.0213
- 现货
- 29K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交6单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 100mW
描述特性：小封装。 与MMBT3904M互补
- 收藏
- 对比
- ￥0.1891
- ￥0.1468
- ￥0.1233
- ￥0.1092
- ￥0.0897
- ￥0.0831
- 现货
- 9260
8000个/圆盘
总额￥0
近期成交20单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 150mW
描述此 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-323/SC-70 封装，适合低功率表面贴装应用。
- 收藏
- 对比
- ￥0.2788
- ￥0.2248
- ￥0.1948
- ￥0.1768
- ￥0.1612
- 现货
- 10K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交46单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述特性：作为互补类型，推荐使用NPN晶体管MMBT3904
- 收藏
- 对比
- ￥0.050065
- ￥0.039045
- ￥0.03287
- ￥0.029165
- ￥0.025935
- ￥0.024225
- 现货
- 16K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交19单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
- 收藏
- 对比
- ￥0.0388
- ￥0.0301
- ￥0.0253
- ￥0.0225
- ￥0.02
- ￥0.0186
- 现货
- 163K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交34单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述PNP 电流:200mA 耐压:40V (hFE):300@10mA,1V
- 收藏
- 对比
- ￥0.07704
- ￥0.06003
- ￥0.05058
- ￥0.04491
- ￥0.03996
- ￥0.03735
- 现货
- 9500
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交12单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
- 收藏
- 对比
- ￥0.2436
- ￥0.1943
- ￥0.1696
- ￥0.1511
- ￥0.1363
- ￥0.1289
- 现货
- 9490
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交50单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述特性：互补类型，采用推荐的外延平面管芯结构。标记：2A
- 收藏
- 对比
- ￥0.0481
- ￥0.0373
- ￥0.0313
- ￥0.0285
- ￥0.0254
- ￥0.0237
- 现货
- 8240
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交21单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 1W
描述特性：BVCEO > -40V。 高集电极电流：IC = -200mA。 功耗：PD = 1000mW。 封装尺寸：0.60mm²，比SOT23小13倍。 封装高度：0.5mm，可减少板外轮廓。 互补NPN型。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，环保器件
- 收藏
- 对比
- ￥0.3768
- ￥0.30033
- ￥0.24976
- ￥0.23688
- ￥0.22656
- ￥0.22136
- 现货
- 6905
10000个/圆盘
总额￥0
近期成交13单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 150mW
描述PNP 电流:200mA 耐压:40V (hFE):300@10mA,1V
- 收藏
- 对比
- ￥0.07704
- ￥0.06003
- ￥0.05058
- ￥0.04491
- ￥0.03996
- ￥0.03735
- 现货
- 5700
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交13单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 150mW
描述SOT-523塑料封装晶体管
- 收藏
- 对比
- ￥0.050688
- ￥0.049536
- ￥0.048864
- ￥0.048096
- 现货
- 3350
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交34单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述该SOT-23封装PNP型三极管，拥有40V高耐压VCEO和0.2A集电极电流，放大倍数在100至300之间可调，适用于中等电压、微电流环境下的精密放大与开关电路设计，是您电子设备项目的理想半导体组件。
- 收藏
- 对比
- ￥0.0498
- ￥0.0393
- ￥0.0335
- ￥0.03
- 现货
- 11K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交6单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 100mW
描述三极管应用于放大电路、开关电路以及振荡电路等领域
- 收藏
- 对比
- ￥0.08517
- ￥0.06681
- ￥0.05661
- ￥0.05049
- ￥0.045135
- ￥0.04233
- 现货
- 8900
10000个/圆盘
总额￥0
近期成交3单
