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SK29

品牌: SMC(桑德斯)

封装: DO-214AA(SMB)

类目: 肖特基二极管

编号: C492933

二极管配置: 1个独立式

正向压降(Vf): 850mV@2A

直流反向耐压(Vr): 90V

整流电流: 2A

描述特性：肖特基势垒芯片。用于瞬态保护的保护环芯片结构。高电流能力。低功耗，高效率。高浪涌电流能力。用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。这是无铅器件。所有SMC部件可追溯到晶圆批次

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2SK2937-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: TO-220F

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5240521

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 45A

导通电阻(RDS(on)): 27mΩ@10V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，具有高压、高电流的特点，适用于多种功率电路设计。TO220F；N—Channel沟道,60V；45A；RDS(ON)=27mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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2SK2910-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: SOT-23(TO-236)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22389541

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 6A

导通电阻(RDS(on)): 22mΩ@4.5V；28mΩ@2.5V；39mΩ@1.8V

描述SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

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2SK2911-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: SOT-23(TO-236)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C29779564

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 2A

导通电阻(RDS(on)): 240mΩ@10V；260mΩ@4.5V；250mΩ@6V

耗散功率(Pd): 2.5W

描述SOT23；N—Channel沟道,100V；2A；RDS(ON)=240mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.8V；

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2SK2909-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: SOT-23(TO-236)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C29779640

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 6A

导通电阻(RDS(on)): 22mΩ@4.5V

描述SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

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2SK2963-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: SOT-89

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5355725

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 4.2A

导通电阻(RDS(on)): 102mΩ@10V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款一款单通道N沟道场效应管，采用Trench技术，用于低功耗电子设备、医疗器械、LED照明控制、智能家居等多种领域和模块。SOT89-3；N—Channel沟道,100V；4.2A；RDS(ON)=102mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~3V；

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2SK2986-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: TO-220F

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C19626779

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 45A

导通电阻(RDS(on)): 27mΩ@10V

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2SK2991-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: TO-220F

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C19632207

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 7A

导通电阻(RDS(on)): 1.1Ω@10V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Plannar技术，具有高性能和可靠性，适用于各种功率电子应用，提供稳定可靠的电气特性。TO220F；N—Channel沟道,650V；7A；RDS(ON)=1100mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2.5~5V；

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2SK2933-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: TO-220F

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22389634

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 45A

导通电阻(RDS(on)): 27mΩ@10V

耗散功率(Pd): 52W

描述TO220F；N—Channel沟道,60V；45A；RDS(ON)=27mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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2SK2940-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22389894

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 58A

导通电阻(RDS(on)): 10mΩ@10V

描述TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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2SK2958S-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: TO-263(D2PAK)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C29778768

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 98A

导通电阻(RDS(on)): 2.4mΩ@10V；2.7mΩ@4.5V

耗散功率(Pd): 250W

描述TO263；N—Channel沟道,30V；98A；RDS(ON)=2.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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HSSK2905

品牌: HUASHUO(华朔)

封装: SOT-363

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C53243980

数量: 1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 800mA；600mA

导通电阻(RDS(on)): 300mΩ@4.5V

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5+￥0.6134
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3000个/圆盘

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2SK2925-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C879043

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 18A

导通电阻(RDS(on)): 73mΩ@10V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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1+￥2.42
10+￥1.9
30+￥1.68
100+￥1.4
500+￥1.28
1000+￥1.2

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2500个/圆盘

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2SK2926L-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: TO-251

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C19711219

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 35A

导通电阻(RDS(on)): 37mΩ@4.5V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较大的电压容忍度，可提供良好的电路灵活性。适用于电源模块、电机驱动模块、工业控制模块和电源管理模块等领域。TO251；N—Channel沟道,60V；35A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

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10+￥1.593
100+￥1.534
200+￥1.416
1000+￥1.357
2000+￥1.3216

订货7-9个工作日

库存: 4000

增量: 1

最小包装: 1个

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2SK2965-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: TO-220F

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C29779554

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 200V

连续漏极电流(Id): 18A

导通电阻(RDS(on)): 200mΩ@10V

描述TO220F；N—Channel沟道,200V；18A；RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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10+￥3.186
100+￥3.068
200+￥2.832
1000+￥2.714
2000+￥2.6432

订货7-9个工作日

库存: 800

增量: 1

最小包装: 1个

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2SK2932-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: TO-220F

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7568858

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 45A

导通电阻(RDS(on)): 27mΩ@10V

RoHS

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10+￥2.187
100+￥2.106
200+￥1.944
1000+￥1.863
2000+￥1.8144

订货7-9个工作日

库存: 800

增量: 1

最小包装: 1个

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2SK2925-JSM

品牌: JSMSEMI(杰盛微)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C18190251

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 20A

导通电阻(RDS(on)): 45mΩ@4.5V

描述广泛应用于充电器、电源转换及各类电子设备中，实现高效能、稳定可靠的功率控制。

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1+￥0.780216
500+￥0.76038
5000+￥0.740544

订货7-9个工作日

库存: 300K

增量: 1

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2SK2926-JSM

品牌: JSMSEMI(杰盛微)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C18193045

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 30A

导通电阻(RDS(on)): 40mΩ@4.5V

描述适用于一般开关和低压电源电路、开关速度较快、导通电阻低。

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1+￥1.080408
500+￥1.05294
5000+￥1.025472

订货7-9个工作日

库存: 300K

增量: 1

最小包装: 1个

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2SK2931-JSM

品牌: JSMSEMI(杰盛微)

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C18186877

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 110A

耗散功率(Pd): 358W

阈值电压(Vgs(th)): 4V

描述应用于高频开关电源、有源功率因数校正。

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1+￥1.800444
500+￥1.75467
3000+￥1.708896

订货7-9个工作日

库存: 300K

增量: 1

最小包装: 1个

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2SK2956-E

品牌: RENESAS(瑞萨)/IDT

封装: -

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3276900

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 50A

导通电阻(RDS(on)): 12mΩ@4V

耗散功率(Pd): 35W

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2SK2932-E

品牌: RENESAS(瑞萨)/IDT

封装: -

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3277054

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 10A

导通电阻(RDS(on)): 75mΩ@10V

耗散功率(Pd): 20W

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1+￥9.74
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SK29A

品牌: GOOD-ARK(固锝)

封装: DO-214AC(SMA)

类目: 肖特基二极管

编号: C19841315

二极管配置: 1个独立式

正向压降(Vf): 790mV@2A

直流反向耐压(Vr): 90V

整流电流: 2A

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1+￥0.2662
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500+￥0.1027
1000+￥0.101

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2SK2943

品牌: SANKEN(三垦)

封装: -

类目: 结型场效应管(JFET)

编号: C21555692

耗散功率(Pd): 30W

导通电阻(RDS(on)): 4Ω

漏源电流(Idss): 100uA

输入电容(Ciss): 600pF

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2SK2935-91-E

品牌: RENESAS(瑞萨)/IDT

封装: -

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3276337

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1+￥22.83
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2SK2935-92-E

品牌: RENESAS(瑞萨)/IDT

封装: -

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3276542

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2SK2934-92-E

品牌: RENESAS(瑞萨)/IDT

封装: -

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3282510

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1+￥15.1
200+￥5.85
500+￥5.64
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2SK2935-93-E

品牌: RENESAS(瑞萨)/IDT

封装: -

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3282527

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1+￥22.83
200+￥8.84
500+￥8.53
1000+￥8.37

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WSK290N04G6

品牌: WINSOK(微硕)

封装: TO-263-6L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5185321

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 290A

导通电阻(RDS(on)): 1.2mΩ@10V

描述WSK290N04G6是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSK290N04G6符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过了抗雪崩能力（EAS）测试，并经过了全面的可靠性验证。

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2SK2980ZZ-TR-E-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: SOT-23(TO-236)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20755252

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 6.5A

导通电阻(RDS(on)): 30mΩ@10V；33mΩ@4.5V

描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

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品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C18795056

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 45A

导通电阻(RDS(on)): 25mΩ@10V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，具有高效、稳定和可靠的特性，可满足不同应用的需求，适用于设计稳定可靠的电源供应模块、电动工具、电动车控制器、LED照明等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；45A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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